Hangzhi의 논문 “H-Bridge를 기반으로 한 Fluxgate Current Sensor”가 국제 전자 기술 컨퍼런스 ICET에 선정되었습니다.

2023 제6회 전자기술 국제회의(ICET)가 2023년 5월 12~15일 중국 청두에서 성공적으로 개최됩니다. Shenzhen Hangzhi Precision Electronics Co., Ltd.의 논문 “H-Bridge 기반 Fluxgate 전류 센서”( “H-Bridge 기반 Fluxgate 전류 센서”)가 학회 논문 라이브러리에 선정되는 영광을 누렸습니다. 대학, 연구 기관 및 업계의 모든 논문은 컬렉션에 선정되기 전에 엄격한 심사와 표절 확인을 거쳐 ICET 과학 위원회 회원과 국제 심사위원의 검토를 거칩니다. ICET에서 출판된 모든 논문은 IEEE Xplore에 포함되며 Ei Compendex에 색인되어 있습니다.

첨부된 전체 문서 주소:《H-Bridge 기반 플럭스게이트 전류 센서》

'H-Bridge 기반 플럭스게이트 전류 센서'는 H-Bridge 기반 플럭스게이트 전류 센서 기술을 핵심으로 전기차의 검출 정확도를 목표로 한다. BMS 전류 센서는 대전류와 소전류를 정확하게 측정할 만큼 높지 않다. 동시 및 센서 전원 공급 장치 및 BMS의 단일 전원 공급 장치 불일치 기술 문제는 단일 여자 코어를 갖춘 플럭스게이트 전류 센서의 설계 방식을 제공합니다. H-브리지 회로를 사용하여 여기 코일을 구동하면 단일 전원 공급 장치를 실현하고 센서 전원 공급 장치 설계를 단순화합니다. 또한, 여자 코일에 흐르는 여자 전류(즉, 여자 전류)를 두 전류의 차이인 ie1과 ie2로 등가적으로 변환하고, 그 차이 등가 전류를 통해 여자 전류의 평균값을 계산하도록 이중 측정 저항을 갖춘 여자 검출 회로를 구성한다. ie1-ie2는 전류 센서의 제로 드리프트를 제거하여 전류 센서의 작은 전류 인식 및 측정 정확도를 향상시킵니다. 기존 방식에 비해 이 설계 방법은 발전되었으며 전기 자동차 BMS의 전류 모니터링 요구 사항에 적합합니다.